中长期存储产能释放谨慎 行业供不应求

根据摩根士丹利的最新预测，2026年第三季度，DDR4等成熟DRAM的价格将上涨50%，而第四季度将再涨10%。摩根士丹利表示，成熟的DRAM和NAND芯片的供应紧张局面即将进一步恶化。

造成这一局面的主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正在持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存。财信证券的何晨认为，2026年存储原厂扩产资源将集中倾斜于高附加值的HBM产品，传统DRAM和NAND闪存的有效供给增量将有限。

行业整体供需缺口持续扩大，合约价格稳步上行，行业整体进入量利齐升的兑现周期。中长期存储产能释放的节奏仍偏谨慎，行业有望维系供不应求态势。

据财联社主题库显示，相关上市公司中，长鑫科技深耕DRAM存储芯片的设计与制造，通过持续的研发投入与技术探索，已掌握了多项达到国际先进水平的工艺和产品核心技术。有研新材的12英寸高纯钽靶材适配3DNAND/DRAM/HBM先进存储，已应用于国内外多家头部芯片企业。

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