三星电子计划2026年完成1d nm DRAM内存研发

近日，业内人士透露，三星电子的目标是在2026年9月率先完成1d nm DRAM内存的研发工作。该项目预计将在2026年12月进入量产转移阶段，并计划于2027年上半年启动生产线建设。三星电子有望在2027年底实现首批量产。

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